近日，成都高新區(qū)科技創(chuàng)新局公布了《成都高新區(qū)2023年第二批擬認(rèn)定中試平臺(tái)名單》，經(jīng)過(guò)層層篩選和審核，芯未半導(dǎo)體榮獲成都市高新區(qū)“高投芯未功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)”認(rèn)定。
高投芯未功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)由成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運(yùn)營(yíng)。平臺(tái)項(xiàng)目占地30畝，總建筑面積2.8萬(wàn)平方米，總投資10億元，建設(shè)分立器件背面加工生產(chǎn)線(xiàn)和功率模塊封裝測(cè)試線(xiàn)，為功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司和科研機(jī)構(gòu)提供從器件制造到模塊封裝測(cè)試的一站式全生命周期的中試服務(wù)。
高投芯未功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)作為目前成都規(guī)模最大的功率半導(dǎo)體中試平臺(tái)，擁有研發(fā)經(jīng)驗(yàn)豐富的芯片技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)和工藝團(tuán)隊(duì)100余人，研發(fā)團(tuán)隊(duì)核心人員由清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院、復(fù)旦大學(xué)的博士組成，深耕IGBT芯片技術(shù)、應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化10年以上。芯片工藝團(tuán)隊(duì)核心人員由全球知名制造企業(yè)資深專(zhuān)家構(gòu)成，從業(yè)經(jīng)歷均達(dá)10年以上，掌握分立器件背面核心制造技術(shù)和先進(jìn)功率模塊高可靠封裝測(cè)試技術(shù)。平臺(tái)利用自身工藝研發(fā)水平和創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)能力幫助中小企業(yè)解決研發(fā)難題，為其提供IGBT、第三代半導(dǎo)體器件等定制化精準(zhǔn)加工制造、參數(shù)測(cè)試、可靠性分析等成果轉(zhuǎn)化方面的服務(wù)。
平臺(tái)致力于以功率半導(dǎo)體中試技術(shù)研發(fā)為特色，對(duì)外開(kāi)放科技成果轉(zhuǎn)化、人才培養(yǎng)、項(xiàng)目孵化、企業(yè)培育的新型技術(shù)研發(fā)與服務(wù)基地，形成“中試+科技成果轉(zhuǎn)化+產(chǎn)業(yè)科技人才培養(yǎng)+生態(tài)企業(yè)共享+企業(yè)培育孵化”的全鏈條產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局。
未來(lái)，高新發(fā)展將帶領(lǐng)芯未半導(dǎo)體進(jìn)一步加大研發(fā)投入、強(qiáng)化研發(fā)隊(duì)伍、提升科技創(chuàng)新實(shí)力，努力將其打造為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)。同時(shí)，高新發(fā)展也將持續(xù)推動(dòng)芯未半導(dǎo)體與高校、科研院所等合作，加速破解科技成果轉(zhuǎn)化難題，推動(dòng)成都高新區(qū)建設(shè)成為具有全國(guó)影響力的中試首選地。